ဤ 50W ဘရော့ဒ်ဘန်းပါဝါ အသံချဲ့စက်သည် 4GHz မှ 8GHz ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးတစ်လျှောက် ကြံ့ခိုင်သော အထွက်ပါဝါလိုအပ်သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် RF module တစ်ခုဖြစ်သည်။ ခေတ်မီသော GaN (Gallium Nitride) နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ ကျယ်ပြန့်သောချက်ချင်း bandwidth ထက် မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆ၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော linearity ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ အသံချဲ့စက်အား လိုအပ်ချက်ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် တည်ငြိမ်မှု၊ တာရှည်ခံမှုနှင့် တသမတ်တည်း စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အင်ဂျင်နီယာချုပ်ထားပါသည်။
ဘရော့ဘန်းစွမ်းဆောင်ရည်- အပြည့်အဝ 4GHz မှ 8GHz (C-Band) လှိုင်းစဉ်တစ်လျှောက် တီးဝိုင်းပြောင်းရန်မလိုအပ်ဘဲ ချောမွေ့စွာလုပ်ဆောင်သည်။
မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါ- 50 Watts (47dBm) အနည်းဆုံး ပုံမှန်ပြည့်နှက်နေသော အထွက်ပါဝါကို တီးဝိုင်းတစ်လျှောက် ပေးဆောင်သည်။
မြင့်မားသောရရှိမှု- ပါဝါနည်းပါးသောအရင်းအမြစ်များမှ ထိရောက်သောအချက်ပြချဲ့ထွင်မှုကို သေချာစေသည့် ပုံမှန်သေးငယ်သည့်အချက်ပြမှုပမာဏ 50dB (အနည်းဆုံးရရှိမှု) ပါဝင်သည်။
Excellent Gain Flatness- တူညီသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးတစ်ခုလုံးထက် ပုံမှန်အားဖြင့် ±1.5dB ၏ သာလွန်သောအမြတ်အစွန်းကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။
စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်- စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ဒီဇိုင်းကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် 30% Power Added Efficiency (PAE)၊ အပူဝန်နှင့် DC ပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
ခိုင်မာသော Linear စွမ်းဆောင်ရည်- မြင့်မားသော 1dB ဖိသိပ်မှုအမှတ် (OP1dB) ကို ပုံမှန်အားဖြင့် > 47dBm ပေးစွမ်းပြီး အမျိုးမျိုးသော ပြုပြင်မွမ်းမံမှုအစီအစဉ်များအတွက် linear နှင့် saturated amplification နှစ်မျိုးလုံးကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
ပေါင်းစပ်ကာကွယ်ရေးနှင့် ထိန်းချုပ်မှု- ပြည့်စုံသော ဘေးကင်းရေး အင်္ဂါရပ်များ ပါဝင်သည်- Reverse Voltage Protection၊ Over-Temperature Shutdown နှင့် Output Overload/VSWR Protection။ ဘက်လိုက်ထိန်းချုပ်မှု၊ ဖွင့်/ပိတ် (TTL) နှင့် အခြေအနေကို စောင့်ကြည့်ခြင်းအတွက် Standard analog interface။
အပူစီမံခန့်ခွဲမှု- ဝန်အပြည့်အခြေအနေအောက်တွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသောလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန် ထိရောက်သောအခြေခံပလတ်ပြားအအေးပေးစနစ်ဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုဆိုင်ရာ အပူချိန် အပိုင်းအခြား- -40°C မှ +85°C။
အကြမ်းခံသောတည်ဆောက်မှု- စစ်ဘက်၊ အာကာသယာဉ်နှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးများအတွက် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အကာအရံများနှင့် သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန်အတွက် ခိုင်ခံ့သော၊ အလုံပိတ်သတ္တုအထုပ်တွင် ထားရှိပါသည်။
|
မရှိ |
ဖော်ပြချက် |
သင်္ကေတ |
မင်း |
စာရိုက်ပါ။ |
မက်တယ်။ |
ယူနစ် |
မှတ်ချက် |
|
၁။ |
Operating Frequency |
BW |
4000 |
|
8000 |
MHz |
|
|
၂။ |
ထည့်သွင်းပါဝါ |
တံ |
|
0 |
|
dBm |
|
|
၃။ |
အထွက်ပါဝါ CW |
Psat |
47 |
48.5 |
49.5 |
dBm |
အဆက်မပြတ်လှိုင်း |
|
၄။ |
ပါဝါရရှိခြင်း။ |
Gp |
47 |
|
49.5 |
dBm |
@ pin=0 dBm |
|
၅။ |
Power Gain Flatness |
△ Gp |
|
±1.5 |
|
dB |
@ pin=0 dBm |
|
၆။ |
အသေးစား SignalGain |
G |
49 |
50.5 |
52 |
dB |
@ pin=-5dBm |
|
၇။ |
အသေးစား SignalGain Flatness |
△G |
|
±2 |
|
dB |
@ pin=-5dBm |
|
၈။ |
Input Return Loss |
S11 |
|
စာ-၁၅ |
|
dB |
|
|
၉။ |
လည်ပတ်ဗို့အား |
Vdc |
28 |
28 |
32 |
V |
|
|
၁၀။ |
လက်ရှိစားသုံးမှု |
A |
|
6 |
8 |
A |
@pout=50~90W |
|
၁၁။ |
အလုပ်အပူချိန် |
|
-40 ℃ ~ + 50 ℃ |
|
|
||
|
၁၂။ |
RF Connector ထည့်သွင်းခြင်း။ |
|
SMA၊ အပျို |
|
|
||
|
၁၃။ |
RF Connector အထွက် |
|
SMA၊ အပျို |
|
|
||
|
၁၄။ |
အလေးချိန် |
|
|
0.439 |
0.50 |
ကီလိုဂရမ် |
|
|
၁၅။ |
အလျား*အနံ*အမြင့် |
|
၁၃၄*၈၀*၂၂ |
မီလီမီတာ |
|
||
|
၁၆။ |
ထည့်သွင်းပါဝါ |
PinMax |
စာ-၅ |
|
5 |
dBm |
|
|
၁၇။ |
Interface အဓိပ္ပါယ် (7W2 အမျိုးသမီး) |
VDD |
A1 |
မြေပြင် |
|
||
|
GND |
A2 |
28Vdc |
|
||||
|
လက်ရှိသဘော |
1 |
မော်ဂျူး၏ လက်ရှိ @ 100mV/A နှင့် ဆက်စပ်နေသော အင်နာလော့ဗို့အား |
|
||||
|
Temp Sense |
2 |
အင်နာလော့ဗို့အား Module'sTemperature@10mV/℃ နှင့် သက်ဆိုင်သည်။ |
|
||||
|
ဖွင့်ပါ။ |
3 |
အသံချဲ့စက် ဖွင့်ပါ။ |
အသံချဲ့စက်ကို ဖွင့်ပါ-TTL Logic High (3.3V) (အတွင်းပိုင်းဆွဲ-အနိမ့်) |
||||
|
GND |
4 |
မြေပြင် |
|
||||
|
|
စုစုပေါင်းအတိုင်းအတာ |
မှတ်ချက် -
1၊ အလုံးစုံအတိုင်းအတာများသည် ကိုးကားရန်အတွက်သာဖြစ်သည်; 2、 အရွယ်အစားသည် ဖောက်သည်၏လိုအပ်ချက်အရ သင့်လျော်သလို တိုးနိုင်သည် သို့မဟုတ် လျှော့ချနိုင်သည်။ 3၊ Input interface၊ output interface နှင့် power supply interface ၏ ရာထူးများကို ဖောက်သည်များ၏ အမှန်တကယ် လိုအပ်ချက်များအရ ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ |
|||||